05.06.2024
IXFN200N07
Характеристики IXFN200N07
-
СерияHiPerFET™
-
ПроизводительIXYS
-
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
-
FET FeatureStandard
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs6 mOhm @ 500mA, 10V
-
Drain to Source Voltage (Vdss)70V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C200A
-
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 8mA
-
Gate Charge (Qg) @ Vgs480nC @ 10V
-
Input Capacitance (Ciss) @ Vds9000pF @ 25V
-
Power - Max520W
-
Исполнение / КорпусSOT-227, miniBLOC
-
УпаковкаTube
Полная характеристикаСкрыть
Новости электроники
04.06.2024
03.06.2024